" /> " /> sentel on-line

Tranzystory

Tranzystor – trójelektrodowy (rzadko czteroelektrodowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa urządzenia wywodzi się od słów transkonduktancja (transconductance) z "półprzewodnikowym" przyrostkiem -stor jak w warystor (varistor)[1].

Germanowe tranzystory stopowe Tewy na tle opakowania: małej mocy TG2, średniej mocy TG55 (seledynowe) z początku lat sześćdziesiątych, oraz metalowy tranzystor dużej mocy ADP665 z 1972 r.

Pierwsze patenty na tranzystor zostały udzielone w latach 1925 do 1930 r. w Kanadzie, USA i Niemczech Juliusowi Edgarowi Lilienfeldowi. Jego projekty były zbliżone do tranzystora MOSFET[2], jednak ze względów technologicznych (głównie czystości materiałów) tranzystora nie udało się skonstruować – stało się to możliwe dopiero w drugiej połowie XX wieku.

Pierwszy działający tranzystor (ostrzowy) został skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories przez Johna Bardeena oraz Waltera Housera Brattaina. W następnym roku William Bradford Shockley z tego samego laboratorium opracował teoretycznie tranzystor złączowy, który udało się zbudować w 1950. John Bardeen, Walter Houser Brattain oraz William Bradford Shockley, za wynalazek tranzystora otrzymali Nagrodę Nobla z fizyki w 1956.

W 1949 dwaj niemieccy fizycy (zaangażowani poprzednio w program radarowy) Herbert Mataré i Heinrich Welker pracując w paryskim oddziale firmy Westinghouse niezależnie zbudowali tranzystor (który nazwali transistronem)[3].

W 1957 William Bradford Shockley pracując w Shockley Semiconductor Laboratory zbudował złączowy tranzystor polowy JFET.

W 1959 John Atalla i Davon Kahng, również z Bell Labs, zbudowali pierwszy tranzystor MOSFET, wykorzystując przy tym opracowany w tym samym laboratorium proces utleniania powierzchni kryształu krzemu[4].

Pierwszymi tranzystorami zbudowanymi w Polsce były tranzystory ostrzowe TP1-TP3 (od tranzystor punktowy, rok 1953). Ze względu na niestabilność parametrów i nietrwałość nie nadawały się one do praktycznych zastosowań[5]. Pierwszymi wytwarzanymi w krótkich seriach germanowymi tranzystorami stopowymi były TC11-TC15, wyprodukowane do 1959 w liczbie kilkunastu tysięcy egzemplarzy. Również i one nie znalazły zastosowania przemysłowego[6]. Produkcja na skalę przemysłową została uruchomiona w roku 1960 przez Tewę. Były to germanowe tranzystory stopowe małej częstotliwości serii TG1-TG5, i TG70. Rok później uruchomiono produkcję tranzystorów średniej częstotliwości TG10 i TG20 oraz serii TG50[7].

Liczba tranzystorów w mikroprocesorach wprowadzanych w różnych latach.

Wynalezienie tranzystora uważa się za przełom w elektronice, zastąpił on bowiem duże, zawodne i energochłonne lampy elektronowe, dając początek coraz większej miniaturyzacji przyrządów i urządzeń elektronicznych, zwłaszcza że dzięki mniejszemu poborowi mocy można było zmniejszyć też współpracujące z tranzystorami elementy bierne. W układach scalonych o najwyższej skali integracji (na przykład w mikroprocesorach) ich liczba przekracza miliard.

Symbole tranzystorów
bipolarne
BJT PNP symbol.svg BJT NPN symbol.svg
typu pnp typu npn

Wyróżnia się dwie główne grupy tranzystorów, różniące się zasadniczo zasadą działania – tranzystory bipolarne i tranzystory unipolarne.

 Osobny artykuł: Tranzystor bipolarny.

W tranzystorach bipolarnych prąd przepływa przez złącza półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa (n i p). Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o typie przewodnictwa odpowiednio npn lub pnp (o nazwach emiter – E, baza – B i kolektor – C). Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między innymi elektrodami (kolektorem i emiterem).

 Osobny artykuł: Tranzystor polowy.
JFET
JFET P-Channel Labelled.svg JFET N-Channel Labelled.svg
MOSFET
IGFET P-Ch Enh Labelled.svg IGFET N-Ch Enh Labelled.svg
IGFET P-Ch Dep Labelled.svg IGFET N-Ch Dep Labelled.svg
z kanałem p z kanałem n

Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe) to takie, w których prąd płynie przez półprzewodnik o jednym typie przewodnictwa. Prąd wyjściowy jest w nich funkcją napięcia sterującego.

W obszarze półprzewodnika z dwiema elektrodami: źródłem (S) i drenem (D) tworzy się tzw. kanał, którym płynie prąd. Wzdłuż tego obszaru umieszczona jest trzecia elektroda, zwana bramką (G). Napięcie przyłożone do bramki zmienia przewodnictwo kanału, wpływając w ten sposób na płynący prąd. W tranzystorach MOSFET bramka jest odizolowana od kanału warstwą dielektryka, a w tranzystorach polowych złączowych (JFET) spolaryzowanym w kierunku zaporowym złączem p-n.

Inne typy tranzystorów to:

Tranzystory dzieli się też ze względu na typy użytych półprzewodników:

  • pnp, npn – bipolarne,
  • Z kanałem typu p, z kanałem typu n – unipolarne.

Innym możliwym podziałem tranzystorów jest podział ze względu na materiał półprzewodnikowy z jakiego są wykonywane:

  • German – materiał historyczny, obecnie najczęściej stosowany w technice wysokich częstotliwości w połączeniu z krzemem (heterostruktury),
  • Krzem – obecnie podstawowy materiał półprzewodnikowy, bardzo szeroko stosowany,
  • Arsenek galu – stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,
  • Azotek galu – stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,
  • Węglik krzemu – (rzadko) stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości, dużych mocy i w wysokich temperaturach.

Ze względu na parametry tranzystory dzieli się na:

  • Małej mocy, małej częstotliwości
  • Dużej mocy, małej częstotliwości
  • Małej mocy, wielkiej częstotliwości
  • Dużej mocy, wielkiej częstotliwości
  • Tranzystory przełączające (impulsowe)
  • Itd.

Przy nazywaniu tranzystora określenia te są często łączone, mówimy więc na przykład: bipolarny tranzystor krzemowy NPN, dużej mocy, wielkiej częstotliwości.

Animowana interaktywna ilustracja multiwibratora bistabilnego na tranzystorach dyskretnych (sugerowane rezystancje: R1, R2 = 1 kΩ, R3, R4 = 10 kΩ).

Tranzystory ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajdują bardzo szerokie zastosowanie. Są wykorzystywane do budowy wzmacniaczyróżnego rodzaju: różnicowych, operacyjnych, mocy, selektywnych, szerokopasmowych. Jest kluczowym elementem w konstrukcji wielu układów elektronicznych, takich jak źródła prądowe, lustra prądowe, stabilizatory, przesuwniki napięcia, klucze elektroniczne, przerzutniki, generatory i wiele innych.

Ponieważ tranzystor może pełnić rolę klucza elektronicznego, z tranzystorów buduje się także bramki logiczne realizujące podstawowe funkcje boolowskie, co stało się motorem do bardzo dynamicznego rozwoju techniki cyfrowej w ostatnich kilkudziesięciu latach. Tranzystory są także podstawowym budulcem wielu rodzajów pamięci półprzewodnikowych (RAM, ROM itp.).

Dzięki rozwojowi technologii oraz ze względów ekonomicznych większość wymienionych wyżej układów tranzystorowych realizuje się w postaci układów scalonych. Co więcej, niektórych układów, jak np. mikroprocesorów liczących sobie miliony tranzystorów, nie sposób byłoby wykonać bez technologii scalania.

W roku 2001 holenderscy naukowcy z Uniwersytetu w Delft zbudowali tranzystor składający się z jednej nanorurki węglowej, jego rozmiar wynosi zaledwie jeden nanometr, a do zmiany swojego stanu (włączony / wyłączony) potrzebuje on tylko jednego elektronu. Naukowcy przewidują, że ich wynalazek pozwoli na konstruowanie układów miliony razy szybszych od obecnie stosowanych, przy czym ich wielkość pozwoli na dalszą miniaturyzację elektronicznych urządzeń[8].

Tranzystory
Sortuj wg:
Domyślny
Filtrowanie produktów
2SK3568 N VMOS 12A 500V

4,70 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

BD681

3,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

STP14NF12FP

7,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

STP16NF06FP

4,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N2219 TO-39

2,40 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N2222  TO-39

0,30 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N2905/BC313 TO-39

4,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N3055  TO-3 NPN, 115V, 60V,

4,50 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N3055  TO-3 ORG  NPN, 115W, 60V,

3,73 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N3772  TO3   NPN, 100V, 20A, 150W

4,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N3773  TO3  NPN, 160V, 16A, 150W

4,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N5401  TO-92  bipolarny, PNP, 160V, 600mA, 350mW

1,20 zł

Produkt dostępny

2N5551  TO-92 NPN 150V/0,3A/0,6W 300MHz

0,30 zł

Produkt dostępny

2N6488  TO-220 NPN, 90V, 15A, 90W = BD911

3,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N6491  TO-220 PNP 15A/80V/75W 5MHz =BD912

2,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2N7000  TO92 N-FET 60V, 0,2A, 0,25W

2,00 zł

Produkt dostępny

2SA1013  TO92  PNP, 160V, 1A, 0.9W,

0,80 zł

Produkt dostępny

2SA1015  TO92 PNP 50V, 0,15A, 0.4W 80MHz

0,70 zł

Produkt dostępny

2SA1111  TO-220  PNP 150V, 1A, 20W, 250MHz

3,00 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

2SA1123  TO-92 PNP 150V,0.05A,0.75W  = 2SA1124

1,30 zł

Zapytaj o produkt

Produkt niedostępny

Wyświetlanie od 1 do 20 (z 489 pozycji) Stron:  1  2  3  4  5 ... 25  Następna >> 
Szukaj

Wpisz szukany produkt


Wyszukiwanie zaawansowane
Szybki kontakt



Kruszwicka 26-28
53-652 Wrocław

71 727 98 68
792 444 031
693 831 980

sklep@sentel.pl
 
Gadu - Gadu:

skype
krzysiek-sentel
 
Czynne ;
Poniedziałek - Piątek
10.00 - 16.00
 
Sobota
Nieczynne

Niedziela 
Giełda elektroniczna Wrocław
Mapa dojazdu
e-Płatności
Szybkie płatności bankowe, płatności kartą kredytową i debetową.

Współpracujemy:


Wysyłamy kurierem 






Jesteśmy Autoryzowanym Przedstawicielem  




Akceptuję
Strona korzysta z plików cookies w celu realizacji usług i zgodnie z Polityką Prywatności. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce.